IXYS | |
Catégorie du produit: | MOSFET |
RoHS: | Détails |
Si | |
Through Hole | |
TO-247-3 | |
N-Channel | |
1 Channel | |
100 V | |
120 A | |
8 mOhms | |
– 20 V, + 20 V | |
5 V | |
235 nC | |
– 55 C | |
+ 175 C | |
300 W | |
Enhancement | |
Polar | |
IXTR200N10 | |
Tube | |
Marque: | IXYS |
Configuration: | Single |
Temps de descente: | 90 ns |
Transconductance directe – min.: | 60 S |
Hauteur: | 21.34 mm |
Longueur: | 16.13 mm |
Type de produit: | MOSFET |
Temps de montée: | 35 ns |
30 | |
Sous-catégorie: | MOSFETs |
Type de transistor: | 1 N-Channel |
Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
Délai de désactivation type: | 150 ns |
Délai d’activation standard: | 30 ns |
IXTR200N10P MOSFET N-CHANNEL 100V / 120A IXYS
د.ج 1.500,00
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