SKM75GB123D Module IGBT SEMIKRON

Configuration IGBT: Demi-pont
Polarité transistor: Double canal N
Courant de collecteur DC: 114A
Courant Collecteur Continu: 114A
Tension de saturation Emetteur Collecteur: 1.85V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 1.85V
Dissipation de puissance Pd: –
Dissipation de puissance: –
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 1.2kV
Température, Tj max..: 175°C
Température de fonctionnement max..: 175°C
Type de boîtier de transistor: Module
Nombre de broches: 7Broche(s)
Borne IGBT: Goujon
Technologie IGBT: V-IGBT
Tension Collecteur Emetteur Max: 1.2kV
Montage transistor: Panneau