IRF640 MOSFET N-CHANNEL 200V / 18A

Transistor IRF640 N-MOS 200V 18A/72Ap. 125W 0.18R(11A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A.