| IXYS | |
| Catégorie du produit: | MOSFET |
| RoHS: | Détails |
| Si | |
| Through Hole | |
| TO-264-3 | |
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 800 V | |
| 34 A | |
| 240 mOhms | |
| – 20 V, + 20 V | |
| 5 V | |
| 270 nC | |
| – 55 C | |
| + 150 C | |
| 560 W | |
| Enhancement | |
| HyperFET | |
| HiPerFET | |
| Tube | |
| Marque: | IXYS |
| Configuration: | Single |
| Temps de descente: | 40 ns |
| Transconductance directe – min.: | 35 S |
| Hauteur: | 26.16 mm |
| Longueur: | 19.96 mm |
| Type de produit: | MOSFET |
| Temps de montée: | 45 ns |






