SIHP22N60E-GE3 MOSFET N-CHANNEL 600V / 21A

Type de canal: Canal N
Polarité transistor: Canal N
Courant de drain Id: 21A
Tension Vds max..: 600V
Résistance Drain-Source à l’état-ON: 0.15ohm
Résistance Rds(on): 0.15ohm
Tension de test Rds(on): 10V
Montage transistor: Traversant
Tension de seuil Vgs Max: 2V
Dissipation de puissance Pd: 227W
Type de boîtier de transistor: TO-220AB
Nombre de broches: 3Broche(s)
Dissipation de puissance: 227W
Température de fonctionnement max..: 150°C